<address id="tttlp"></address>
          
          
          <noframes id="tttlp">
          <address id="tttlp"></address>

          電子發燒友網 > 今日頭條 > 正文

          5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點?是下一個風口?

          2020年04月14日 14:48 ? 次閱讀

          由于2 月13 日小米在新品發表會中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時間原本GaN 在射頻領域熱燒的話題,快速延燒至電池產業。

          隨著消費電子產品、電動車、家用電器等產品更新換代,產品的性能也越來越受重視,尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉換能效,提高功率密度水平,延長電池續航時間,成為了新一代電子產品面臨的最大挑戰。

          在這樣的背景下,一種新型的功率半導體——氮化鎵(GaN)的出現,或許會成為未來電子產業的“香餑餑”。

          一、蟄伏20年的第三代半導體材料GaN

          上個月剛結束的小米10發布會上,和小米10一同火起來的,還有小米創始人雷軍著重介紹額65W小米GaN充電器。雷軍夸其為“實在太方便了!”新品火起來的同時,還引起投資人對于第三代半導體的廣泛關注。

          了解GaN之前,首先我們要弄清楚關于半導體材料的一些知識。

          半導體材料歷經 3 個發展階段,第一代是硅 (Si)、鍺 (Ge) 等基礎功能材料;第二代開始進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表;第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等寬頻化合物半導體材料。

          目前全球絕大多數半導體元件,都是以硅作為基礎功能材料的硅基半導體,不過,在高電壓功率元件應用上,硅基元件因導通電阻過大,往往造成電能大量損耗,且在高頻工作環境下,硅元件的切換頻率相對較低,性能不如寬頻化合物半導體材料。

          硅基半導體受限硅材料的物理性質,而氮化鎵、碳化硅則因導通電阻遠小于硅基材料,導通損失、切換損失降低,可帶來更高的能源轉換效率。挾著高頻、高壓等優勢,加上導電性、散熱性佳,元件體積也較小,適合功率半導體應用,近來在 5G、電動車等需求推升下,氮化鎵等材料崛起成為半導體材料明日之星。

          不過,其實氮化鎵材料廣為人知,是始于 LED 領域,1993 年時,日本日亞化學的中村修二成功以氮化鎵和氮化銦鎵 (InGaN),開發出具高亮度的藍光 LED,人類也因此湊齊可發出三原色光的 LED。梳理具體詳情如下:

          第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)等元素的材料,常用在信息技術中的分立器件和集成電路中,電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程等產業中都得到了極為廣泛的應用。

          第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體,如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態半導體),如非晶硅、玻璃態氧化物半導體;以及有機半導體,如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。

          第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。在應用方面,根據第三代半導體的發展情況,其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域。在本文中重點介紹的GaN,并不存在于自然界,只能在實驗室中制成。具有帶隙寬、原子鍵強、導熱率高、化學性能穩定、抗輻照能力強、結構類似纖鋅礦、硬度很高等特點,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用等方面有著廣闊的應用前景。

          在1998年,美國研制出GaN晶體管,資料顯示,GaN在室溫下帶隙為3.49eV(電子伏特)。一般來說,帶隙就是指禁帶寬度,是半導體材料的一個重要特征參量,其大小主要決定于半導體的能帶結構。

          若禁帶寬度Eg< 2.3eV,則稱為窄禁帶半導體,如Ge、Si、GaAs以及InP;若禁帶寬度Eg>2.3eV則稱為寬禁帶半導體,如SiC、GaN、HSiC、AlN以及ALGaN等。

          由于寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強以及良好的化學穩定性等特點,非常適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

          以GaN為例,熔點高達1700℃。有人曾做過實驗,在一般高溫情況下,GaN不會發生分解反應,只有將其放置于氮氣或氦氣中且溫度超過1000℃時GaN才會慢慢揮發,證明GaN可以在較高的溫度下保持其穩定性。這也是為什么GaN能被廣泛運用在大功率半導體中的原因。

          二、GaN產業鏈及市場規模

          與SiC產業鏈類似,GaN產業鏈可依次分為GaN襯底→GaN外延→器件設計→器件制造。從國內外GaN產業發展來看,美國、日本成為GaN產業發展的佼佼者,中國企業入局者則為數不多。

          因為材料特性的差異,硅在高于1200V 的高電壓、大功率具有優勢,而GaN 制的產品更適合40~1200V 的應用,特別是在600V/3KW 能發揮最大優勢。因此,在伺服器、馬達驅動、UPS 等領域,GaN 可以挑戰傳統MOSFETIGBT 的地位。

          Yole預計2024年GaN電源市場產值將超過3.5億美元,CAGR達85%,當中,GaN快充是推動產業高成長的主要力量。此外,GaN還有望滲透進入汽車及工業和電信電源應用中。

          從生產端來看,GaN 功率半導體已開始少量出貨,但由于其價格過于昂貴,是影響現階段發展受限的主要因素。價格不親民是因為目前GaN 制芯片仍以6 吋及以下的晶圓廠生產為主,尚未顯現規模效應,若未來成本能再大幅下降,市場需求就會爆發。

          在GaN功率領域中,市場主要由Infi neo n、EPC、GaN Systems、Transphorm,及Navitas等公司主導,其產品是由TSMC,Episil、X-FAB進行代工。中國新興代工廠中,三安光電和海特高新具有量產GaN功率零組件的能力。

          雖然GaN 有著許多優勢,但因為產品價格偏高,這是現在消費性電子產品未大量采用的主因。反而在衛星、軍事這類對價格敏感度低的產業,GaN 零組件對其有極大的吸引力。

          不過,從意法半導體與臺積電之間的合作可以看出,在5G 世代中,GaN 已經是不可缺少的重要原料,特別是在車電領域(與手機等消費性電子相比,價格敏感度低),將是國際大廠搶進重點領域之一。

          非常值得一提的是,在射頻領域,氮化鎵射頻器件適合高頻高功率場景,是5G時代的絕佳產品,將替代Si基芯片,應用在5G基站、衛星通信、軍用雷達等場景。

          在政治局會議多次點名之下,5G基站的建設迎來高峰,相應的各種射頻器件、芯片數量和質量都在提升,市場需求旺盛。氮化鎵工藝正在逐步占領市場,已經勢不可擋。拓璞產業研究院預計到2023年基站端GaN射頻器件規模達到頂峰,達到112.6億元。

          再加上衛星通信、軍用雷達的市場,據預測GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元。

          三、GaN產業應用前景

          GaN 目前主要的應用就在微波射頻、電力兩大領域。具體而言,微波射頻包含5G 通訊、雷達預警、衛星通訊等應用;電力則包含智慧電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等。

          快充產品領域:GaN材料應用范圍廣泛,最為人熟知的就是在快充產品領域。最初快充出現的時候還并不被大伙所看好,總感覺這么短時間內充滿一塊電池,擔心電池爆炸。隨著快充逐漸升級為超級快充,充電時間越來越短,對于電池安全的隱憂雖然沒有徹底放下,但人們也越來越愿意接受。

          新型的GaN快充與傳統快充相比,由于GaN的材料特性能提供更高的能量轉化效率,降低了功耗,減小了充電時的發熱問題;GaN充電器擁有更大的功率密度,能夠實現更快的充電速度;此外,GaN充電器功率器件的開關頻率顯著高于傳統快充中的Si功率器件,因此可以實現體積更小的充電器產品設計。

          今年2月,小米發布新品,其中65W GaN充電器成為一大亮點。

          這款充電器易散熱、充電快(比iphone原裝快50%,從0到100%的電量只需45分鐘)、體積小(比常規充電器小了50%),且售價只要149元,性價比較高。3天預約就超5萬,一時間,這一黑科技產品站上了風口,氮化鎵也因此引發市場的強烈關注。

          不過這并不是第一款氮化鎵充電器,早在去年四季度,OPPO就發布了全球首款65W GaN充電器。兩家大廠相繼布局,意味著技術已經進一步成熟。

          而且,氮化鎵充電器并不僅僅用于手機充電。更小、更便捷的GaN充電器是解放筆記本的一大利器。未來,筆記本、新能源車或許都會用到氮化鎵充電器。

          電動汽車、光伏等功率半導體領域:目前電動汽車、光伏、智能電網等領域使用的IGBT是硅基材料,如果未來氮化鎵技術取得突破,從而滲透進IGBT半導體領域,那么將進一步打開氮化鎵市場的天花板。

          照明領域:半導體照明是目前國內外非常受人矚目的一種新型的高效、節能和環保光源,它將取代大部分傳統光源,又被稱為21世紀的能源革命.GaN能和NIn、NAl相互摻雜改變III族元素的比例,從而能使其發光波長覆蓋從紅光到紫外光的范圍,由此達到更高效率、高亮度的光源方面的應用。

          電力:在600 伏特左右電壓下,GaN 在電源管理發電和功率輸出方面具有明顯的優勢,這使GaN 材料的電源產品可更為輕薄、高效率,且GaN 充電插頭體積小、功率高、支援PD 協定,有機會在未來統一NB 和手機的充電器市場。

          射頻領域:

          GaN 的射頻零組件具有高頻、高功率、較寬頻寬、低功耗、小尺寸的特點,能有效在5G 世代中節省PCB 的空間,特別是手機內部空間上,且能達到良好的功耗控制。

          在5G產品中,GaN主要應用在Sub-6GHz基地臺和毫米波(24GHz以上)的小基地站。Yole預估GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元成長2024年的20億美元,CAGR達21%,這主要受電信基礎設施及國防兩大領域所推動,而衛星通信、有線寬頻和射頻也有一定的貢獻。

          在要求高頻高功率輸出的衛星通訊中,市場預估GaN 將逐漸取代GaAs 成為新的解決方案。而在有線電視和民用雷達市場與LDMOS 或GaAs 材料相比,GaN 的成本仍高,短期內大量取代的情況不易見。

          在GaN 射頻領域主要由美、日兩國企業主導,其中,以美商Cree 居首,住友電工、東芝富士通等日商緊追在后,中國廠如三安光電、海特高新、華進創威在此領域雖有著墨,但與國際大廠相比技術差距大。

          5G射頻領域重點發力:

          隨著5G技術的爆發,相關產業對射頻功率、功耗的要求進一步提升,GaN將逐漸取代Si材料。在相控陣雷達、電子對抗戰、精確制導等軍事化場景中,GaN的運用也越來越廣泛。

          市場研究和戰略咨詢公司Yole曾經表示,2018年GaN射頻器件市場規模達到4.57億美元,未來5年復合增長率超過23%。在整個射頻應用市場,GaN器件的市場份額將逐漸提高。長期來看,在宏基站和回傳領域,憑借高頻高功率的性能優勢,GaN將逐漸取代LDMOS和GaAs從而占據主導位。

          GaN 是極為穩定的化合物,又是堅硬和熔點高的材料,其熔點為高達1700℃。同時,GaN 有較高的電子密度和電子速度,其高電離度,也是在三五族化合物中最高的,因此受到高頻、高功率類別電子產品的青睞。

          四、還存在哪些缺點?

          雖然GaN相比于Si等材料更節能、更快,具備更好的恢復特性,但是仍然談不上徹底取代。由于若干原因,GaN并不常用于晶體管中,因為GaN器件通常是耗盡型器件,當柵極 - 源極電壓為零時它們會產生導通,這是一個問題。

          其次,GaN器件極性太大,難以通過高摻雜來獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸,這是GaN器件制造中的一個難題,現在最好的解決辦法就是采用異質結,首先讓禁帶寬度逐漸過渡到較小一些,然后再采用高摻雜來實現歐姆接觸,但這種工藝很復雜。

          五、氮化鎵代工爭奪戰開始

          蘋果 iPhone X 採用 3D 感測技術后,半導體材料砷化鎵因 VCSEL 等應用而聲名大噪,近來隨著 5G、電動車等新應用興起,對功率半導體需求增溫,新一代材料氮化鎵 (GaN) 挾著高頻率等優勢,快速攫獲市場目光;以中國臺灣企業為代表的代工企業繼站穩硅晶圓代工、砷化鎵晶圓代工龍頭地位后,也積極搶進氮化鎵領域,力拚再拿代工龍頭寶座。

          LED 領域發光發熱后,近來受惠 5G、電動車應用推升,對高頻率、高功率元件需求成長,市場對氮化鎵的討論聲浪再度高漲。氮化鎵主要應用于 600 至 1000 伏特的電壓區間,具備低導通電阻、高頻率等優勢,可在高溫、高電壓環境下運作,但主要優勢仍在于高頻率元件,在高壓與高功率表現上,雖優于硅基材料,但不如碳化硅材料表現亮眼。

          從應用面來看,氮化鎵應用包括變頻器變壓器無線充電,為國防、雷達、衛星通訊與無線通訊基地站等無線通訊設備的理想功率放大元件。

          由于 5G 技術采用更高的操作頻率,業界看好,GaN 元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體 (LDMOS),成為 5G 基站主流技術;且在手機功率放大器 (PA) 方面,因 GaN 材料具備高頻優勢,未來也可望取代砷化鎵製程,成為市場主流。

          現行的 GaN 功率元件,以 GaN-on-Si(硅基氮化鎵)、GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)2 種晶圓為主,雖然 GaN-on-SiC 性能相對較佳,但價格大幅高于 GaN-on-Si,也使 GaN-on-Si 仍為目前市場主流,主要應用于電力電子領域,未來可望大幅導入 5G 基地臺的功率放大器 (PA)。

          看準龐大需求 晶圓代工廠積極搶進

          看準了氮化鎵這個機會,中國廠商正在積極推進。首先從臺廠進度來看,磊晶硅晶圓廠嘉晶 6 吋 GaN-on-Si 磊晶硅晶圓,已進入國際 IDM 廠認證階段,并爭取新訂單中;而同屬漢磊投控 集團的晶圓代工廠漢磊科,則已量產 6 吋 GaN on Si 晶圓代工,瞄準車用需求;晶圓代工龍頭臺積電 也已提供 6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工服務。

          至于 GaN-on-SiC 磊晶晶圓,則在散熱性能上具優勢,適合高溫、高頻操作環境,主要應用在功率半導體的車用、工業與消費型電子元件領域,少量應用于通訊射頻領域。目前 GaN-on-SiC 晶圓可做到 4 吋與 6 吋,未來可望朝 8 吋推進,惟磊晶技術主要集中在碳化硅晶圓大廠 Cree 手中,其在 SiC 晶圓市占率高達 6 成之多,幾乎獨霸市場。

          不過,在晶圓代工產能方面,三五族半導體晶圓代工廠穩懋 已開始提供 6 吋 GaN-on-SiC 晶圓代工服務,應用瞄準高功率 PA 及天線;而環宇 - KY也擁有 4 吋 GaN-on-SiC 高功率 PA 產能,且 6 吋 GaN-on-SiC 晶圓代工產能已通過認證。

          晶圓代工廠世界先進也在 GaN 材料上投資超過 4 年時間,持續與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 硅基板廠 Qromis 攜手合作,著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST,今年可望有小量樣品送樣,初期主要瞄準電源領域應用。

          5G 應用推升氮化鎵材料需求,而除站穩硅晶圓代工龍頭、砷化鎵晶圓代工龍頭寶座外,臺廠在第三代半導體材料上,當然也不能缺席,包括硅晶圓代工廠、三五族半導體晶圓代工廠,均積極佈局氮化鎵領域,以迎接 5G 時代下的半導體材料新革命。

          小結

          歐美等國家正在持續加大第三代半導體領域研發支持力度,以GaN、SiC為首的第三代半導體材料被廣泛應用,是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突破口。

          近年來,國內第三代半導體產業穩步發展,但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距,第三代半導體產業本土化、高端化的需求依然緊迫。

          氮化鎵(GaN),疫情中爆炸式增長的大機會,億思騰達大力看好的新興產品!歡迎行業的朋友和企業家們合作,歡迎加盟到億思騰達的氮化鎵項目中,共創偉業!

          注明:本文轉載自半導體觀察,僅供學習交流使用,涉及侵權請聯系我們刪除!

          億思騰達簡介:

          深圳億思騰達集成股份有限公司成立于1998年,作為國家高新技術企業&中國電源與傳感芯片集成服務商,專注電源管理和傳感芯片集成服務20年,立足于多種自主研發的智能傳感方案、特色照明方案,提供量產落地支持、核心器件供應、特色模組供應等商務模式,力求為客戶提供優質全面的IC解決方案,幫助人們創造安全、節能、美好的高科技產品,實現億思騰達讓電子產品AI起來。

          下載發燒友APP

          打造屬于您的人脈電子圈

          關注電子發燒友微信

          有趣有料的資訊及技術干貨

          關注發燒友課堂

          鎖定最新課程活動及技術直播

          電子發燒友觀察

          一線報道 · 深度觀察 · 最新資訊
          收藏 人收藏
          分享:

          評論

          相關推薦

          IEEE發布半導體技術路線圖,助力碳化硅和氮化鎵...

          近日,為了促進寬帶隙(WBG)半導體技術的發展,IEEE電力電子學會(PELS)發布了寬帶隙功率半導....
          發表于 2020-04-13 16:01? 276次閱讀
          IEEE發布半導體技術路線圖,助力碳化硅和氮化鎵...

          TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤...

          貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢,包括超低輸....
          發表于 2020-04-13 14:58? 94次閱讀
          TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤...

          浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工 將對“...

          4月10日,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目正式開工。
          發表于 2020-04-13 10:30? 192次閱讀
          浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工 將對“...

          耐威科技1億元設立全資子公司 將投資建設自主Ga...

          4月11日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)公布公告稱,為了進一步完善GaN業務的全....
          發表于 2020-04-13 10:15? 216次閱讀
          耐威科技1億元設立全資子公司 將投資建設自主Ga...

          推導GAN公式

          GAN的數學推導和案例應用
          發表于 2020-04-13 09:34? 10次閱讀
          推導GAN公式

          第三代寬禁帶半導體材料SiC和GaN研究

          第一代半導體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀電子工業的基礎。第二代半導....
          發表于 2020-04-12 17:06? 368次閱讀
          第三代寬禁帶半導體材料SiC和GaN研究

          ADC設計降低功耗,讓電池“走”的更長遠

          隨著著醫療、消費電子和工業市場上的便攜式手持儀器儀表日趨向尺寸更小、重量更輕、電池(或每次充電)續航....
          發表于 2020-04-10 17:09? 30次閱讀
          ADC設計降低功耗,讓電池“走”的更長遠

          華為自研的GaN快充充電器主控芯片

          4月8日晚,華為2020春季新品發布會正式發布65W GaN雙口超級快充充電器,支持Type-A和T....
          發表于 2020-04-10 16:38? 508次閱讀
          華為自研的GaN快充充電器主控芯片

          氮化鎵接連被手機廠商們“翻牌” 2025年全球G...

          4月8日,華為舉行P40系列國行版線上發布會。發布會上,除了發布了P40系列三款新機等,余承東帶來了....
          發表于 2020-04-10 16:05? 345次閱讀
          氮化鎵接連被手機廠商們“翻牌” 2025年全球G...

          小米和華為先后熱捧的產品,氮化鎵快充將迎來爆發之...

          2020年2月13日,小米召開了疫情以來首場重磅線上發布會,正式發布了小米10旗艦產品,同時也發布了....
          發表于 2020-04-10 15:04? 335次閱讀
          小米和華為先后熱捧的產品,氮化鎵快充將迎來爆發之...

          第三代半導體材料,氮化鎵的應用將越來越廣泛

          從供應鏈獲悉,華為舉行的2020年春季發布會上,發布了一款充電器新品(單品),功率65W。這款充電器....
          發表于 2020-04-10 14:45? 600次閱讀
          第三代半導體材料,氮化鎵的應用將越來越廣泛

          納微GaNFast國際通用MU充電器評測

          導讀:無論您是本地旅行還是出國旅行,有幾個因素都必須考慮,比如所需的墻插頭,目的地區的供電功率輸出、....
          發表于 2020-04-10 10:33? 31次閱讀
          納微GaNFast國際通用MU充電器評測

          英飛凌交付數千萬顆芯片 助力呼吸機生產制造

          作為功率半導體市場的全球領導者,我們在極短的時間內,生產出了約3800萬片的功率半導體芯片,用于呼吸....
          發表于 2020-04-09 18:11? 229次閱讀
          英飛凌交付數千萬顆芯片 助力呼吸機生產制造

          氮化鎵充電器的發展前景_氮化鎵充電器概念股

          氮化鎵充電器前景非常明朗,大概率會取代傳統充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統的充電器呢,或者說....
          發表于 2020-04-09 08:51? 496次閱讀
          氮化鎵充電器的發展前景_氮化鎵充電器概念股

          氮化鎵充電器拆解

          ANKER GaN技術充電器的第一款產品正式在國內上市,名叫ANKER PowerPort Atom....
          發表于 2020-04-08 17:38? 291次閱讀
          氮化鎵充電器拆解

          氮化鎵充電器是什么_氮化鎵充電器的優缺點

          氮化鎵是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性....
          發表于 2020-04-08 17:28? 4489次閱讀
          氮化鎵充電器是什么_氮化鎵充電器的優缺點

          ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外...

          近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨....
          發表于 2020-04-08 16:53? 227次閱讀
          ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外...

          手機廠商紛紛入局 華為也將發布65W氮化鎵充電器...

          小米10系列發布會讓氮化鎵充電器一舉捧紅,成為新晉網紅配件。小米的入局,可以說是極大地提高了氮化鎵的....
          發表于 2020-04-08 15:57? 915次閱讀
          手機廠商紛紛入局 華為也將發布65W氮化鎵充電器...

          Transphorm和微芯達成合作 GaN和數字...

          采用dsPIC? DSC快速跟蹤電源系統開發的4 kW PFC GaN評估板,并提供全球技術支持。
          發表于 2020-04-08 10:37? 56次閱讀
          Transphorm和微芯達成合作 GaN和數字...

          氮化鎵需求逐漸升溫 快充價格出現新低

          由于對設計、制造業者來說,資金、良率、成本、技術等環節皆為投入GaN領域的考驗,因此早期多由歐美ID....
          發表于 2020-04-07 16:52? 272次閱讀
          氮化鎵需求逐漸升溫 快充價格出現新低

          氮化鎵GaN充電器中同步整流的應用

          最近,整理了市面上發售的氮化鎵GaN 充電器產品。一波是采用PI的主控芯片,PI芯片集成了主控+功率....
          發表于 2020-04-07 09:17? 477次閱讀
          氮化鎵GaN充電器中同步整流的應用

          功率半導體模塊的發展趨勢如何?

          功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGB...
          發表于 2020-04-07 09:00? 35次閱讀
          功率半導體模塊的發展趨勢如何?

          NV612X GaNFast? 功率半導體器件的...

          介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封....
          發表于 2020-03-31 09:01? 1283次閱讀
          NV612X GaNFast? 功率半導體器件的...

          氮化鎵充電器這樣設計,你喜歡的不得了

          GaN中文名氮化鎵,是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度....
          發表于 2020-03-28 09:40? 464次閱讀
          氮化鎵充電器這樣設計,你喜歡的不得了

          MP2759-36V/3A 開關充電器,為你的電...

          MP2759 是一款高度集成的開關充電器,適用于1-6節鋰離子或鋰聚合物電池組串聯供電的應用。它支持....
          發表于 2020-03-28 09:30? 44次閱讀
          MP2759-36V/3A 開關充電器,為你的電...

          湘能華磊光電的LED外延層生長方法專利揭秘

          該項專利通過Mg摻雜濃度高-低-高階梯分布結構組成電容式結構,對高壓靜電的沖擊起到了分散、緩沖的作用....
          發表于 2020-03-25 16:38? 515次閱讀
          湘能華磊光電的LED外延層生長方法專利揭秘

          氮化鎵助力快充小型化,KEMET聚合物鉭電容大顯...

          高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小....
          發表于 2020-03-25 14:00? 419次閱讀
          氮化鎵助力快充小型化,KEMET聚合物鉭電容大顯...

          新能源汽車用功率器件需求量大 國產功率半導體突破...

          碳化硅(SiC)是一種應用十分普遍的人造材料,因具有高硬度、耐高溫、耐磨、耐熱震、耐腐蝕、良好導電性....
          發表于 2020-03-24 11:40? 547次閱讀
          新能源汽車用功率器件需求量大 國產功率半導體突破...

          采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB...

          采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner080....
          發表于 2020-03-24 01:08? 1898次閱讀
          采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB...

          氮化鎵場效應管制備方法的簡單分析

          氮化鎵是第三代半導體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優異的電學特性,在半導體器件....
          發表于 2020-03-21 16:28? 430次閱讀
          氮化鎵場效應管制備方法的簡單分析

          Maxim MAX2270x隔離式柵極驅動器在貿...

          MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產品,屬于單通道隔離式柵極驅動器,....
          發表于 2020-03-21 08:17? 168次閱讀
          Maxim MAX2270x隔離式柵極驅動器在貿...

          專利解密之三安光電氮化鎵場效應管制備方法

          氮化鎵是第三代半導體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優異的電學特性,在半導體器件....
          發表于 2020-03-20 14:39? 467次閱讀
          專利解密之三安光電氮化鎵場效應管制備方法

          采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計...

          介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優良的開關特性,低RDS(ON),封裝在一個小QFN封裝里。這....
          發表于 2020-03-20 08:38? 728次閱讀
          采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計...

          三安光電氮化鎵場效應管制作過程專利

          三安光電提出的此項專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現有方法中常規金屬材料熱穩定性和散熱差、工藝....
          發表于 2020-03-19 15:44? 534次閱讀
          三安光電氮化鎵場效應管制作過程專利

          用于HZZH 98%高效功率模塊的Transph...

          我們在尋找一種功率晶體管,幫助我們為客戶開發一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件....
          發表于 2020-03-18 10:58? 146次閱讀
          用于HZZH 98%高效功率模塊的Transph...

          康佳訂購AIXTRON MOCVD系統進入Mic...

          與現有的LCD和OLED技術相比,Micro LED為消費類移動產品以及高端電視顯示器的設計提供了新....
          發表于 2020-03-18 09:47? 129次閱讀
          康佳訂購AIXTRON MOCVD系統進入Mic...

          5G時代氮化鎵的優勢到底有多明顯

          氮化鎵(GaN)被譽為繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三....
          發表于 2020-03-17 11:04? 1044次閱讀
          5G時代氮化鎵的優勢到底有多明顯

          gan基電力電子器件

          該GaN功率器件可以應用在快速充電設備中, 令其避免出現受高溫熔斷的情況,進而確保此功率器件在進行快....
          發表于 2020-03-16 15:34? 383次閱讀
          gan基電力電子器件

          貿澤電子將備貨GaN Systems的GS-EV...

          貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EV....
          發表于 2020-03-16 15:04? 220次閱讀
          貿澤電子將備貨GaN Systems的GS-EV...

          倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給...

          19年12月份,購買了一款 明星產品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產品。 京東上售價....
          發表于 2020-03-16 11:44? 787次閱讀
          倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給...

          Power Integrations發布新款In...

          PowiGaN技術以優異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負載條件下效率均可高達94%,其極高的可靠....
          發表于 2020-03-15 11:03? 800次閱讀
          Power Integrations發布新款In...

          在所有電力電子應用中 功率密度是關鍵指標之一

          在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接....
          發表于 2020-03-14 11:56? 433次閱讀
          在所有電力電子應用中 功率密度是關鍵指標之一

          化合物半導體GaN在8寸晶圓的發展備受矚目

          在新型冠狀病毒疫情的影響下,已有部份晶圓代工廠調降對2020年市場成長性的預估,不過為把握5G、AI....
          發表于 2020-03-14 11:20? 566次閱讀
          化合物半導體GaN在8寸晶圓的發展備受矚目

          能訊半導體基站發射系統發明專利揭秘

          該項專利中的基站發射系統可以形成多個射頻發射通道,覆蓋更寬的發射頻帶,更好的適應5G基站建設場景。此....
          發表于 2020-03-11 15:42? 474次閱讀
          能訊半導體基站發射系統發明專利揭秘

          壓電極化效應

          我們繼續介紹與之對應的壓電極化效應。壓電極化效應是由兩種材料之間的晶格失配引起的。 當在一種材料襯底....
          發表于 2020-03-10 14:14? 131次閱讀
          壓電極化效應

          韓國成功開發出一種能夠替代氮化鎵生產藍光LED的...

          據BusinessKorea報道,韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個團隊成功開發出一種....
          發表于 2020-03-10 14:05? 231次閱讀
          韓國成功開發出一種能夠替代氮化鎵生產藍光LED的...

          意法半導體宣布收購Exagan多數股權 氮化鎵制...

          以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視,半導體企業正在競相加速....
          發表于 2020-03-10 11:22? 552次閱讀
          意法半導體宣布收購Exagan多數股權 氮化鎵制...

          馬瑞利與Transphorm達成戰略合作 將進一...

          日前,汽車零部件供應商MARELLI(馬瑞利)與半導體公司Transphorm達成戰略合作。前者將獲....
          發表于 2020-03-10 09:21? 137次閱讀
          馬瑞利與Transphorm達成戰略合作 將進一...

          使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術可取代氮化鎵生...

          據韓國消息報道,韓國科學技術研究院(KIST)于日前宣布,一個KIST團隊已經成功開發出一種新的化合....
          發表于 2020-03-09 16:49? 869次閱讀
          使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術可取代氮化鎵生...

          倍思發布了一款支持65W快充的 GaN迷你快充旅...

          接口方面,倍思 GaN迷你快充旅行充電器共有兩個USB-C接口與一個USB-A接口。在單USB-C1....
          發表于 2020-03-08 20:43? 862次閱讀
          倍思發布了一款支持65W快充的 GaN迷你快充旅...

          馬瑞利與半導體公司Transphorm攜手布局新...

          近日,汽車供應商MARELLI宣布與美國一家專注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達....
          發表于 2020-03-07 16:34? 731次閱讀
          馬瑞利與半導體公司Transphorm攜手布局新...

          創建具有GaN速度,尺寸和功耗優勢的LIDAR應用

          LIDAR由能夠在所需的感興趣范圍內傳輸脈沖光的激光器(或陣列)以及用于反射信號分析的高速,低噪聲接收器組成。...
          發表于 2019-11-11 15:48? 693次閱讀
          創建具有GaN速度,尺寸和功耗優勢的LIDAR應用

          適用于Rev. E.00.25/U.00.23的E6785E/U CHM幫助文件

          Downloadable User's Guide for the UMA/GAN application. (Windows Only)IMPORTANT: Save the ...
          發表于 2019-10-29 15:14? 165次閱讀
          適用于Rev. E.00.25/U.00.23的E6785E/U CHM幫助文件

          氮化鎵與矽的MOS開關比較

          由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效...
          發表于 2019-09-19 09:05? 767次閱讀
          氮化鎵與矽的MOS開關比較

          GAN Paint Studio后期圖像處理工具實現了什么?

          就在前段時間,MIT和IBM的研究人員們共同開發了一個叫GAN Paint Studio的后期圖像處理工具,人們通過它能隨...
          發表于 2019-09-11 11:52? 388次閱讀
          GAN Paint Studio后期圖像處理工具實現了什么?

          什么是Ka頻段和X頻段應用的GaN功率放大器?

          移動應用、基礎設施與國防應用中核心技術與 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今...
          發表于 2019-09-11 11:51? 1683次閱讀
          什么是Ka頻段和X頻段應用的GaN功率放大器?

          GaN技術怎么助力RF功率放大器的較大功率,帶寬和效率?

          GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器,轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要...
          發表于 2019-09-04 08:07? 311次閱讀
          GaN技術怎么助力RF功率放大器的較大功率,帶寬和效率?

          什么因素推動射頻半導體格局的變化?

          當今的半導體行業正在經歷翻天覆地的變化,這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前,業內有許多家射頻...
          發表于 2019-09-02 07:55? 279次閱讀
          什么因素推動射頻半導體格局的變化?

          硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?

          射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中...
          發表于 2019-09-02 07:16? 470次閱讀
          硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?
          一级黄色录像影片 - 视频 - 在线观看 - 影视资讯 - 品爱网